[17p-W9_324-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[17p-W9_324-7] EFG法による150 mm β-Ga₂O₃ (001)単結晶の育成

〇長谷川 将¹、輿 公祥¹、上田 悠貴¹、佐々木 公平¹、阪口 良一¹、坂本 伊佐雄¹、小西 敬太¹、水井 誠¹、山岡 優¹、渡辺 信也¹、倉又 朗人¹ (1.NCT)

キーワード：

酸化ガリウム、EFG、バルク

Edge-defined film-fed growth (EFG)法による150 mm β-Ga₂O₃ (001)バルク単結晶育成技術を構築し、150 mm (001)基板の製作に成功した。