[17p-W9_324-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[17p-W9_324-9] HVPE成長β-Ga₂O₃ Schottky接合における障壁高さと金属の仕事関数の相関

〇幡山 英仁¹、鐘ヶ江 一孝¹、西中 浩之¹ (1.京都工繊大)

キーワード：

酸化ガリウム、Schottky障壁ダイオード、Schottky障壁高さ

デバイス性能を最大限に引き出す上で、Schottky障壁高さの制御は極めて重要である。本研究では、HVPE成長n型β-Ga₂O₃ホモエピ層を用い、Schottky障壁ダイオードを作製した。基板の電気的性質や表面処理・電極形成手法の条件統一により、理想的な接合界面の形成に成功した。結果として、金属の仕事関数によるSchottky障壁高さの制御性を実証した。本成果は、β-Ga₂O₃のデバイス設計における高い自由度を示す。