[17p-WL2_101-1~10] CS.6 6.3 酸化物エレクトロニクス、6.4 薄膜新材料のコードシェアセッション

13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[17p-WL2_101-1] 強磁性酸化物薄膜における自発的な面内異常ホール効果の観測と制御

〇(M1)上中村 春斗¹、西早 辰一¹、松木 優太¹、菅野 宙輝¹、Ming-Chun Jiang^2,3、村上 嘉哉¹、有田 亮太郎^2,4、石塚 大晃¹、打田 正輝^1,5 (1.東京科学大理、2.理研CEMS、3.国立台湾大理、4.東大理、5.豊田理研)

キーワード：

面内異常ホール効果、強磁性酸化物、分子線エピタキシー法

本研究では、強磁性体では未報告だった面内異常ホール効果の観測および自発磁化の制御を試みた。その結果、強磁性酸化物SrRuO₃極薄膜の(111)面において、ゼロ磁場における自発的な面内異常ホール効果を観測した。さらに、薄膜の三方晶歪みに由来する非単調な応答と、面内スピン磁化の向きを制御することによりゼロ磁場における面内異常ホール応答の符号および面直方向の軌道磁化の向きを反転させられることを実証した。