セッション詳細

[17p-WL2_101-1~10]CS.6 6.3 酸化物エレクトロニクス、6.4 薄膜新材料のコードシェアセッション

2026年3月17日(火) 13:30 〜 16:15
WL2_101 (西講義棟2)

[17p-WL2_101-1]強磁性酸化物薄膜における自発的な面内異常ホール効果の観測と制御

〇(M1)上中村 春斗1、西早 辰一1、松木 優太1、菅野 宙輝1、Ming-Chun Jiang2,3、村上 嘉哉1、有田 亮太郎2,4、石塚 大晃1、打田 正輝1,5 (1.東京科学大理、2.理研CEMS、3.国立台湾大理、4.東大理、5.豊田理研)

[17p-WL2_101-2]Observation and theoretical explanation of coherent transport in strongly correlated perovskite-manganite quantum wells

〇(D)Tatsuro Endo1, Yasufumi Araki2, Munetoshi Seki1,3, Hitoshi Tabata1,3, Masaaki Tanaka1,3,4, Shinobu Ohya1,3,4 (1.Univ. Tokyo, 2.JAEA, 3.CSRN, Univ. Tokyo, 4.NanoQuine)

[17p-WL2_101-3]ZrO2緩衝Si基板上エピタキシャル LaNiO3薄膜における薄膜結晶構造と水素誘特性の相関評価

〇(M1)財前 遥1、中川原 修4、ジョン アロン3、太田 裕道3、李 好博1,2、田中 秀和1,2 (1.阪大産研、2.阪大先導的学際研究機構、3.北大電子研、4.I-PEX Piezo Solutions Inc)

[17p-WL2_101-4]層状ニッケル酸化物Sr2.5Bi0.5NiO5のエピタキシャル成長と電子物性

西村 花奈1、〇河底 秀幸2、夏井 健太2、吉川 聡一2、山添 誠司2、福村 知昭1,3 (1.東北大理、2.都立大理、3.東北大AIMR)

[17p-WL2_101-5]高速アニール処理によるSr2.5Bi0.5NiO5薄膜の金属的伝導

〇(M1)夏井 健太1、河底 秀幸1、吉川 聡一1、山添 誠司1 (1.都立大理)

[17p-WL2_101-6]XLD Study of Strain-Tuned Interlayer Coupling in Bilayer Nickelates

Kihyuk Lee1, Seonghyeon Kim2, Bongju Kim1, Kookrin Char2, Deok-Yong Cho3, 〇Minu Kim1 (1.Chung-Ang Univ., 2.Seoul National Univ., 3.Jeonbuk National Univ.)

[17p-WL2_101-7]La1-xCexNiO2におけるMott VRH相とEfros-Shklovskii VRH相の電界誘起自在制御

小浦 姿1、延兼 啓純2、江上 喜幸1、〇迫田 將仁1 (1.北大工、2.北大理)

[17p-WL2_101-8]SrTaO3/SrVO3界面における磁気輸送特性

〇大友 浩華1、大熊 光1、上野 和紀1 (1.東大院総合文化)

[17p-WL2_101-9]界面形成によるイジング強磁性体Cr3Te4の磁性変調

〇(B)佐藤 圭祐1、山崎 大輔1、成瀬 暖真1、遠藤 幹大2、中野 匡規1 (1.芝浦工大工、2.東大院工)

[17p-WL2_101-10]CrドープTiSe2エピタキシャル薄膜の作製と物性開拓

〇(B)青山 颯汰1、遠藤 幹大2、中野 匡規1 (1.芝浦工大工、2.東大院工)