講演情報
[17p-WL2_101-3]ZrO2緩衝Si基板上エピタキシャル LaNiO3薄膜における薄膜結晶構造と水素誘特性の相関評価
〇(M1)財前 遥1、中川原 修4、ジョン アロン3、太田 裕道3、李 好博1,2、田中 秀和1,2 (1.阪大産研、2.阪大先導的学際研究機構、3.北大電子研、4.I-PEX Piezo Solutions Inc)
キーワード：
LaNiO3、シリコン基板、熱トランジスタ
Si基板上に高品質な機能性酸化物エピタキシャル薄膜を成長させる技術は、酸化物エレクトロニクスの発展に不可欠である。LaNiO3はペロブスカイト構造を有し、相転移を利用した熱トランジスタ応用が可能である。前回、Si基板上へLaNiO3をエピタキシャル成長させ、水素化による熱伝導度の変化に成功したことを報告した。今回はLaNiO3薄膜の結晶構造と水素化の格子膨張率、熱伝導度の相関について報告する。