[17p-WL2_101-1~10] CS.6 6.3 酸化物エレクトロニクス、6.4 薄膜新材料のコードシェアセッション

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[17p-WL2_101-5] 高速アニール処理によるSr_2.5Bi_0.5NiO₅薄膜の金属的伝導

〇(M1)夏井 健太¹、河底 秀幸¹、吉川 聡一¹、山添 誠司¹ (1.都立大理)

キーワード：

遷移金属酸化物、電気伝導、X線吸収微細構造解析

層状ニッケル酸化物Sr_2.5Bi_0.5NiO₅は岩塩層のSr/Bi配列を制御することで、電気抵抗率を大きく変調させることができる。また最近、固相エピタキシー法により、Sr_2.5Bi_0.5NiO₅エピタキシャル薄膜が合成されたが、多結晶バルクとは異なる半導体的な挙動を示した。そこで本研究では、薄膜の合成条件を最適化することで金属的伝導を実現したので、その起源について議論する。