2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質

[18a-M_178-1~11]17.3 層状物質

2026年3月18日(水) 9:00 〜 12:00
M_178 (本館)
9:00 〜 9:15

[18a-M_178-1][第59回講演奨励賞受賞記念講演] グラフェン/SiC基板上における遷移金属ダイカルコゲナイドのvan der Waalsエピタキシーと歪み導入

〇榊原 涼太郎1、平田 海斗2,3、高橋 康史3、乗松 航4、宮田 耕充1,5 (1.NIMS、2.名工大、3.名大、4.早大、5.都立大)
9:15 〜 9:30

[18a-M_178-2]固相エピタキシャル成長による NbSe2/WSe2へテロ構造の形成

〇榊原 涼太郎1、奥川 梨月2、宮田 耕充1,2 (1.NIMS、2.都立大)
9:30 〜 9:45英語発表

[18a-M_178-3]Synthesis and Characterization of 2D-MoS2 by Chemical Vapor Deposition (CVD) method

Yuta Watanabe1, Shio Guruge1, Takeaki Sakurai1, 〇Muhammad Monirul Islam1 (1.Tsukuba University)
9:45 〜 10:00

[18a-M_178-4]300mmウェハースケール遷移金属ダイカルコゲナイド成膜装置開発

〇松本 貴士1、リュウ ジホ1、牟田 幸浩1、杉浦 正仁1 (1.東京エレクトロン)
10:00 〜 10:15

[18a-M_178-5]ガス原料CVDを用いたサファイア基板上の単層WS2成長

〇(M1C)村上 隼之亮1,2、榊原 涼太郎1、西野 隆太郎3、岡田 直也3、入沢 寿史3、宮田 耕充1,2 (1.NIMS、2.都立大理、3.産総研)
10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[18a-M_178-6]ガスソースCVDによるWS2のアモルファスAl2O3上への選択成長

〇西野 隆太郎1、張 文馨1、岡田 直也1、入沢 寿史1 (1.産総研 SFRC)
10:45 〜 11:00

[18a-M_178-7]ガスソースプラズマCVDによる300mm絶縁膜基板へのh-BN直接成膜

〇牟田 幸浩1、杉浦 正仁1、松本 貴士1 (1.東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)
11:00 〜 11:15

[18a-M_178-8]三段階プロセスによるMoS2形成：初期膜組成の役割

〇岡田 直也1、入沢 寿史1、田邉 真一2、三浦 仁嗣2、成 浩2、深澤 篤毅2、前原 大樹2 (1.産総研 SFRC、2.東京エレクトロン)
11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[18a-M_178-9]二層 MoS2 ナノリボンの配向成長

〇(D)山本 快知1、Solís Fernández Pablo1、曽 郁珊2、内田 愛佳1、Sun Haiming3、Lin Yung-Chang4、末永 和知3、原 正大5、吾郷 浩樹1,6 (1.九大院総理工、2.熊大院自然、3.阪大産研、4.産総研、5.熊大院先端、6.九大半導体セ)
11:30 〜 11:45

[18a-M_178-10]スパッタリングによるマイカ基板へのエピタキシャルSnS薄膜の作製

〇(D)野上 大一1、鈴木 一誓1、寺井 慶和2、川西 咲子1,3、茂田井 大輝1、小俣 孝久1 (1.東北大、2.九工大、3.京大)
11:45 〜 12:00

[18a-M_178-11]MoO3分子の水素還元蒸着法によるSiO2/Si(111)表面でのMo薄膜の合成

〇亀井 陸1、西尾 亮祐1、泉 宏和2、本多 信一1 (1.兵庫県立大工、2.兵庫県立工技センター)
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