[18a-M_178-1~11] 17.3 層状物質

9:45 〜 10:00

[18a-M_178-4] 300mmウェハースケール遷移金属ダイカルコゲナイド成膜装置開発

〇松本 貴士¹、リュウ ジホ¹、牟田 幸浩¹、杉浦 正仁¹ (1.東京エレクトロン)

キーワード：

二次元材料、遷移金属ダイカルコゲナイド、化学気相成長

2D CFETデバイスアプリケーション向けに, 300mmウェハースケールでのTMDC全面成膜を実現する2D material成膜装置を開発した.