講演情報
[18a-M_178-7]ガスソースプラズマCVDによる300mm絶縁膜基板へのh-BN直接成膜
〇牟田 幸浩1、杉浦 正仁1、松本 貴士1 (1.東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)
キーワード：
六方晶窒化ホウ素、二次元材料、CFET
我々はLogic A3世代の2D material CFET向け開発として、原子層絶縁材料である六方晶窒化ホウ素の高配向・大粒径結晶成長技術開発に取り組んでいる。遷移金属触媒フリーで絶縁膜基板上へh-BN直接成膜を実現するために、プラズマ励起CVD方式による300mm h-BN成膜装置を新たに開発したので報告する。