講演情報
[18a-M_178-8]三段階プロセスによるMoS2形成：初期膜組成の役割
〇岡田 直也1、入沢 寿史1、田邉 真一2、三浦 仁嗣2、成 浩2、深澤 篤毅2、前原 大樹2 (1.産総研 SFRC、2.東京エレクトロン)
キーワード：
遷移金属カルコゲナイド、硫化モリブデン、CMOS
先端ロジック半導体向けのチャネル材料として、MoS2等の遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）が期待されている。その実用化に向けた課題の一つはTMDCの大面積形成手法の確立である。我々は、MoS2の形成手法「Three-Step Conversion: 3SC法」を提案している。本研究では、1段階目の初期膜の組成が3段階目処理後のMoS2の結晶性に与える影響を示す。