[18a-PA3-1~39] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-PA3-1] 4H-SiC 基板上にミストCVD法を用いて成長した酸化ガリウム薄膜の構造評価

〇大宅 泰生¹、宇野 和行¹ (1.和歌山大システム工)

キーワード：

酸化ガリウム、炭化ケイ素基板、ミストCVD

熱伝導率が酸化ガリウムよりも3桁大きい材料である、4H-SiC基板上にミストCVD法で薄膜成長を行った。
成長温度600℃のとき、κ相の酸化ガリウムが成長した。わずかなβ相の混在も確認された。κ相のロッキングカーブ半値幅は0.949°とMBEやMOCVD法で成長した他者の先行研究結果と同程度であった。結晶の面内回転ゆらぎは1.98°と大きく、大きな格子不整合度を面内回転ゆらぎで解消しつつ結晶成長したことが示唆される。DFM測定によるRMS値は1.34 nmであった。当日は、炭素面への成長や、4°オフのn型4H-SiC基板上への成長結果についても報告する。