講演情報
[18a-PA3-10]Gaドープ系ルチル型GeO2薄膜の作製と物性評価
〇西山 史桂1、猪俣 崇1、泉 宏和2 (1.稀産金属、2.兵庫県立工業技術センター)
キーワード：
ルチル型GeO2
パルスレーザー堆積法を用いてm面サファイア基板上にGeO2ターゲットを使用してシード層を成膜後、Ga2O3添加GeO2ターゲットを使用してGaドープ系ルチル型GeO2薄膜を成膜した。得られた薄膜のIn-plane XRDの測定結果から、ドープ量に応じてルチル型GeO2(400)面ピークが低角側にシフトすることが分かった。また、この薄膜を酸素気流中500℃でアニールしたところ、ラマン分光の測定結果から300 cm-1付近にGeナノ粒子に由来するピークを発現することが分かった。