講演情報
[18a-PA3-11]Ti(acac)2(OiPr)2系ミスト CVD 法によるアモルファス TiOｘ成膜のQCM同時周波数・散逸解析
〇白井 肇1,2、小林 史弥2、栗原 英紀3、山本 孔明4、何 海燕4、曽根 宏隆1、佐藤 知正2、松木 伸行2、大野 俊典4 (1.埼玉大理工研、2.神奈川大工、3.SAITEC、4.天谷製作所)
キーワード：
ミストCVD、TiO2成膜表面反応、QCMによる実時間計測
アノードフリー型リチウム金属電池や次世代リチウムイオン電池（LIB）では，Li⁺輸送を能動的に制御する界面層の設計が重要な課題となっている．アモルファス酸化チタン（a-TiOₓ）は，高誘電率と 無秩序構造を併せ持ち，Li⁺拡散制御層として有望な材料である．しかしa-TiOₓ薄膜に関する従来研 究の多くは，成膜後の構造・電気化学特性評価に留まっており，ミストCVDによる成膜初期の実時間計 測に関する研究は極めて少ない．そこで水晶振動子マイクロバランス（QCM）により成膜中に起こる質量変化と力学応答の実時間同 時計測を行い，基板温度：Ts，溶媒，基板の種類，基板バイアスが対する影響を評価した。