講演情報
[18a-PA3-17]深紫外レーザーアニールによるSnO2薄膜の固相エピタキシーとドーパントへの影響
〇(M1)仲野 由剛1、伊藤 新1、金子 智1,2、松田 晃史1 (1.東京科学大学、2.神奈川県産技総研)
キーワード：
酸化スズ、エキシマレーザーアニーリング、エピタキシャル薄膜
結晶方位依存の高い電子移動度を示すフッ素ドープ酸化スズ（FTO）においてエピタキシャル薄膜合成、および再蒸発を抑制したドーパント濃度と物性の制御は、その応用において意義が大きい。本研究では、室温堆積したアモルファス酸化スズ薄膜に対して大気中・室温で深紫外エキシマレーザーアニール（ELA）を行い、急速固相エピタキシーを得た。また、ELAによるFTO薄膜のフッ素濃度と導電性への影響についても評価した。