講演情報
[18a-PA3-21]電極間隔を変化させたZnGa2O4非晶質薄膜の電気特性
〇飯塚 知己1、小熊 佑弥1、加瀬 伶也1、山本 和貫2、石井 聡1 (1.東京電機大、2.千葉大院工)
キーワード：
ZnGa₂O₄、ショットキープロット、フォトリソグラフィー
本研究は、ZnGa2O4薄膜デバイスの集積化を見据えて、電極間隔を小さくした試料を作製し、電気特性の変化を調査した。その結果、電流－電圧特性は、いずれの試料においても電流は電圧に対して非線形かつ極性非対称を示した。また、Schottkyプロットをしたところ、全ての試料で線形関係が確認された。このことから、デバイスの電気抵抗は、少なくとも電極間隔2 µmまでは、電極からのSchottky型の電流注入機構によって支配されていると考えられる。