[18a-PA3-1~39] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-PA3-25] 耐熱性フレキシブル基板上TFT の開発に向けたZnO 膜の特性評価

〇黒澤 和楽¹、鷲巣 智裕¹、村中 司¹、鍋谷 暢一¹、松本 俊¹ (1.山梨大工)

キーワード：

酸化亜鉛、薄膜トランジスタ、フレキシブル

耐熱性フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)の実現に向けた基礎検討として、低損傷プロセスであるプラズマ支援分子線堆積(PAMBD)法を用いて、フレキシブルなPI基板上にZnO 薄膜を作製した。作製した試料に対し、光学的手法による膜厚測定および、四探針による抵抗率測定を行った。結晶構造評価にはCu kα₁ 線を用いたXRD 測定(2θ/ω 法)を行い、薄膜の配向性を評価した。