[18a-PA3-1~39] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-PA3-26] スパッタリング法によるZn添加GZO膜の電気特性の面内位置依存性

〇(M1C)柴田 哲郎¹、山田 容士¹、舩木 修平¹、佐野 心柚¹ (1.島根大自然)

キーワード：

半導体、酸化亜鉛、フレキシブル基板