講演情報
[18a-PA3-27]真空紫外エキシマ光溶液プロセスにおける雰囲気制御が In2O3薄膜トランジスタの伝達特性に及ぼす影響
〇上田 一輝1、落合 秀哉1、野村 卓矢1、藤元 章1、和田 英男1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、清水 昭宏2、前元 利彦1 (1.大阪工大、2.ウシオ電機株式会社)
キーワード：
酸化物半導体、薄膜トランジスタ、酸化インジウム
本研究では，真空紫外エキシマ光を用いた薄膜トランジスタ（TFT）の溶液プロセスにおいて，光照射時および熱処理時の雰囲気制御がIn2O3 TFT特性に及ぼす影響を調べた．その結果，Dry N2照射とDry O2熱処理の組合せにより，on/off比は106と向上し，しきい値電圧の安定化およびヒステリシス低減を達成した．本手法は，溶液プロセスによる高性能In2O3 TFT実現に有効であると考えられる.