[18a-PA3-1~39] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-PA3-33] トップゲート型In-Ga-OナノシートMOSキャパシタにおける界面準位密度の定量評価

〇小笠原 成央¹、上沼 睦典²、髙橋 崇典¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.産総研)

キーワード：

酸化物半導体、MOSキャパシタ、界面準位密度