[18a-PA3-1~39] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-PA3-37] Si基板結晶方位に着目したSnOスパッタ成膜およびTFT特性評価

〇辛 佳和¹、石井 和歩¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：

一酸化スズ、p型酸化物半導体、層状構造