[18a-PA3-1~39] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-PA3-9] ルチル型GeO₂における表面構造安定性の理論解析

〇(B)村上 雄基¹、秋山 亨^1,2、河村 貴宏^1,2 (1.三重大工、2.三重大ICSDF)

キーワード：

酸化物半導体、表面、GeO2