[18a-PB4-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[18a-PB4-10] 光散乱式ウエハ表面検査装置を用いたプラズマ照射半導体基板の表面ダメージ評価（Ⅱ）

〇(M1)山本 悠矢¹、浅川 和宣²、深津 邦夫²、王谷 洋平³、佐藤 哲也¹ (1.山梨大、2.YGK、3.諏訪東京理科大)

キーワード：

パーティクルスキャナ、GeO2、欠陥