セッション詳細

[18a-PB4-1~12]8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2026年3月18日(水) 11:30 〜 13:00
PB4 (武道場 (B1F))

[18a-PB4-1]粉体ターゲットを用いた薄膜作製~粉体特性変化~

〇川崎 仁晴1、佐竹 卓彦1,2、池田 晃裕2、青木 振一2、山里 将朗3、大島 多美子4 (1.佐世保高専、2.崇城大学、3.琉球大学、4.長崎大学)

[18a-PB4-3]イオン化領域からの粒子輸送を考慮したHiPIMSプラズマモデルの構築

〇阿部 元暉1、太田 貴之2、小田 昭紀1 (1.千葉工大、2.名城大)

[18a-PB4-4]水素フリーDLC 成膜用He/CO プラズマ特性に及ぼすガス流量比の影響

〇(M2)滝口 達也1、針谷 達2、上坂 裕之2、小田 昭紀1 (1.千葉工大、2.岐阜大)

[18a-PB4-5]Si基板への水素メタンマイクロ波プラズマ照射によるSiC形成とNEXAFS解析

〇(B)室屋 颯太1、北原 広貴1、小倉 大知1、佐藤 哲也1、本山 慎一2 (1.山梨大工、2.ミヤ通信工業)

[18a-PB4-6]クメンプラズマCVDにおける基板バイアス電圧と全ガス圧による a-C:H 膜の密度・応力制御

〇小野 晋次郎1、恵利 眞人1、小原 舜平1、奥村 賢直1、鎌滝 晋礼1、古閑 一憲1、白谷 正治1 (1.九大)

[18a-PB4-7]スロットアンテナ液中気泡内プラズマCVD法による炭素系薄膜の形成

〇橋口 魁人1、石島 達夫1、中野 裕介1、田中 康規1 (1.金沢大自然)

[18a-PB4-8]Ar/He/C2H2 PECVDにおけるプラズマパラメータと膜質の関係

〇長嶺 一輝1,2、佐藤 優志1、鎌滝 晋礼1、白谷 正治1 (1.九州大学 シス情、2.九州大学 マス·フォア·イノベーション連携学府)

[18a-PB4-9]マイクロ波大気圧プラズマジェットにおける誘電体ノズル径が電界分布およびプラズマ生成特性に及ぼす影響

〇長森 裕貴1、Erdenezaya Bat-Orgil1、石島 達夫1、中野 裕介1、田中 康規1 (1.金沢大理工)

[18a-PB4-10]光散乱式ウエハ表面検査装置を用いたプラズマ照射半導体基板の表面ダメージ評価(Ⅱ)

〇(M1)山本 悠矢1、浅川 和宣2、深津 邦夫2、王谷 洋平3、佐藤 哲也1 (1.山梨大、2.YGK、3.諏訪東京理科大)

[18a-PB4-11]塩素ラジカルによる窒化チタン熱サイクル原子層エッチング後の残留塩素への水素ラジカル照射効果のin-situ表面反応解析

〇(M2)平井 俊也1、篠田 和典2、グエン ティ トゥイ ガー1、堤 隆嘉1、井上 健一1、石川 健治1 (1.名大、2.日立ハイテク)

[18a-PB4-12]ハイブリッドpMOSFET製造工程へのマイクロ波励起水蒸気プラズマアッシングプロセスの適用評価

〇谷口 博紀1,2、石島 達夫1,2、中野 祐介1,2、田中 康規1,2 (1.金沢大工、2.環境電力工学研)