講演情報
[18a-PB4-12]ハイブリッドpMOSFET製造工程へのマイクロ波励起水蒸気プラズマアッシングプロセスの適用評価
〇谷口 博紀1,2、石島 達夫1,2、中野 祐介1,2、田中 康規1,2 (1.金沢大工、2.環境電力工学研)
キーワード：
プラズマ、水蒸気プラズマアッシング、半導体
従来のレジスト除去法である薬液処理法(Wet)と酸素プラズマ処理法(ICP-O2)にはそれぞれ問題点がある．筆者らはこれらの問題を解決するため，水蒸気プラズマアッシング法（WPA）を開発している．WPAは，原料ガスが超純水由来の水蒸気のみであり，環境負荷が少なく低コストである．加えて，熱ダメージによるデバイス特性劣化の抑制が見込まれる．本稿では，Wet，ICP-O2，WPAの3条件をそれぞれ組み込んでpMOSFETを作製し，Id-Vg特性の比較により，WPAのpMOSFET製造工程への適用可能性を検討した．