[18a-PB4-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[18a-PB4-6] クメンプラズマCVDにおける基板バイアス電圧と全ガス圧による a-C:H 膜の密度・応力制御

〇小野 晋次郎¹、恵利 眞人¹、小原 舜平¹、奥村 賢直¹、鎌滝 晋礼¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹ (1.九大)

キーワード：

プラズマCVD、クメン、バイアス電圧制御