[18a-S2_203-1~10] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

9:00 〜 9:30

[18a-S2_203-1] [第3回シリコン系半導体エレクトロニクス業績賞（名取研二業績賞）受賞記念講演] パワー半導体の過去・現在・未来
－ 半導体技術は融合しながらその先の未来へ －

〇北川 光彦¹ (1.東芝デバイス＆ストレージ株式会社、2022年定年退職)

キーワード：

IEGT、注入促進、IGBT

1993年に発表したIEGT(注入促進型エミッタ構造:Injection Enhanced 構造:IE効果)は、バイポーラデバイスの高不純物濃度エミッタ拡散層の機能をMOS構造の幾何学配置での再現に成功しただけではなく、自在な新機能を加えて、それまでのデバイス構造を設計しなおすことを可能にしました。パワー半導体の歴史を振り返ながら、IE効果の意味やパワー半導体の将来展望について議論します。