[18a-S2_203-1~10] 13.5 デバイス／配線／集積化技術 | 2026年第73回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術

[18a-S2_203-1~10]13.5 デバイス／配線／集積化技術

2026年3月18日(水) 9:00 〜 12:00

S2_203 (南2号館)

9:00 〜 9:30

[18a-S2_203-1][第3回シリコン系半導体エレクトロニクス業績賞（名取研二業績賞）受賞記念講演] パワー半導体の過去・現在・未来
－半導体技術は融合しながらその先の未来へ－

〇北川光彦¹ (1.東芝デバイス＆ストレージ株式会社、2022年定年退職)

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[18a-S2_203-2]低耐圧トレンチフィールドプレートパワーMOSFET におけるフローティング電極形成による寄生容量低減

〇星田悟志¹、石井大智¹、徳山周平¹、西口俊史¹、前山賢二¹、可知剛¹、加藤浩朗¹ (1.東芝デバイス&ストレージ株式会社)

9:45 〜 10:00

[18a-S2_203-3]3次元フラッシュメモリにおけるレーザーアニール処理時の多結晶Si粒径分布の解析

〇堀川晃太¹、坂田晃一¹、村上貞俊¹、荒井伸也¹、有田幸司¹、鍋坂恭平²、下田淳²、古藤誠² (1.キオクシア、2.サンディスク)

10:00 〜 10:15

[18a-S2_203-4]マルチフローティングゲートを用いた混載フラッシュメモリ

〇平野博茂¹、栗山寛明¹、野間淳史¹ (1.タワーパートナーズセミコンダクター株式会社)

10:15 〜 10:30

[18a-S2_203-5]CT分断構造によるゲート側注入型セルの特性改善

〇石川達也¹、竹田裕¹、来栖貴史¹ (1.キオクシア)

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[18a-S2_203-6]40nm TaO_XベースReRAMの読み出し電流中のRTNの高精度抽出手法

〇(M2)アバラエリオット勇士¹、三澤奈央子¹、松井千尋¹、竹内健¹ (1.東大工)

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[18a-S2_203-7]ナノワイヤの自発ノイズを活用する確率的不揮発メモリセルの検討

〇(B)高村健新¹、安藤洸太²、冨岡克広²、浅井哲也² (1.北大工、2.北大院情報)

11:15 〜 11:30

[18a-S2_203-8]EMP近傍動作・並列読み出しシングルエンドSRAMマクロの設計

矢口忠勝¹、〇塩津勇作¹、菅原聡¹ (1.東京科学大学・未来研)

11:30 〜 11:45

[18a-S2_203-9]高エネルギー効率・XNOR-SRAM・並列演算PIM型BNNアクセラレータ・マクロの設計

近藤慶音¹、〇塩津勇作¹、菅原聡¹ (1.東京科学大学・未来研)

11:45 〜 12:00

[18a-S2_203-10]INT4推論・並列演算PIM型NNアクセラレータ・マクロのアーキテクチャと設計

〇塩津勇作¹、菅原聡¹ (1.東京科学大・未来研)

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