2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術

[18a-S2_203-1~10]13.5 デバイス／配線／集積化技術

2026年3月18日(水) 9:00 〜 12:00
S2_203 (南2号館)
座長：松川 貴(産総研)
受賞記念講演（シリコン系半導体エレクトロニクス業績賞）、パワーデバイス、メモリ、回路、など
9:00 〜 9:30

[18a-S2_203-1][第3回シリコン系半導体エレクトロニクス業績賞（名取研二業績賞）受賞記念講演] パワー半導体の過去・現在・未来
－ 半導体技術は融合しながらその先の未来へ －

〇北川 光彦1 (1.東芝デバイス＆ストレージ株式会社、2022年定年退職)
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9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[18a-S2_203-2]低耐圧トレンチフィールドプレートパワーMOSFET におけるフローティング電極形成による寄生容量低減

〇星田 悟志1、石井 大智1、徳山 周平1、西口 俊史1、前山 賢二1、可知 剛1、加藤 浩朗1 (1.東芝デバイス&ストレージ株式会社)
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9:45 〜 10:00

[18a-S2_203-3]3次元フラッシュメモリにおけるレーザーアニール処理時の多結晶Si粒径分布の解析

〇堀川 晃太1、坂田 晃一1、村上 貞俊1、荒井 伸也1、有田 幸司1、鍋坂 恭平2、下田 淳2、古藤 誠2 (1.キオクシア、2.サンディスク)
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10:00 〜 10:15

[18a-S2_203-4]マルチフローティングゲートを用いた混載フラッシュメモリ

〇平野 博茂1、栗山 寛明1、野間 淳史1 (1.タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社)
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10:15 〜 10:30

[18a-S2_203-5]CT分断構造によるゲート側注入型セルの特性改善

〇石川 達也1、竹田 裕1、来栖 貴史1 (1.キオクシア)
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10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[18a-S2_203-6]40nm TaOXベースReRAMの読み出し電流中のRTNの高精度抽出手法

〇(M2)アバラ エリオット 勇士1、三澤 奈央子1、松井 千尋1、竹内 健1 (1.東大工)
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11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[18a-S2_203-7]ナノワイヤの自発ノイズを活用する確率的不揮発メモリセルの検討

〇(B)高村 健新1、安藤 洸太2、冨岡 克広2、浅井 哲也2 (1.北大工、2.北大院情報)
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11:15 〜 11:30

[18a-S2_203-8]EMP近傍動作・並列読み出しシングルエンドSRAMマクロの設計

矢口 忠勝1、〇塩津 勇作1、菅原 聡1 (1.東京科学大学・未来研)
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11:30 〜 11:45

[18a-S2_203-9]高エネルギー効率・XNOR-SRAM・並列演算PIM型BNNアクセラレータ・マクロの設計

近藤 慶音1、〇塩津 勇作1、菅原 聡1 (1.東京科学大学・未来研)
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11:45 〜 12:00

[18a-S2_203-10]INT4推論・並列演算PIM型NNアクセラレータ・マクロのアーキテクチャと設計

〇塩津 勇作1、菅原 聡1 (1.東京科学大・未来研)
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