講演情報
[18a-S2_203-2]低耐圧トレンチフィールドプレートパワーMOSFET におけるフローティング電極形成による寄生容量低減
〇星田 悟志1、石井 大智1、徳山 周平1、西口 俊史1、前山 賢二1、可知 剛1、加藤 浩朗1 (1.東芝デバイス&ストレージ株式会社)
キーワード：
トレンチフィールドプレートパワーMOSFET、寄生容量、フローティング電極
低耐圧SiパワーMOSFETでは、同一トレンチ内でゲート電極とソースフィールドプレート電極が対向する構造が主流であるが、この対向面に起因する寄生容量の増大によりスイッチング速度が低下を招くといった課題がある。本研究では、ソースフィールドプレート電極の一部をフローティング電極に置換する新構造を提案し、ゲート入力容量を29％低減した。本成果は、寄生容量低減によるデバイス性能向上に有効な提案であることを示す。