講演情報
[18a-S2_203-4]マルチフローティングゲートを用いた混載フラッシュメモリ
〇平野 博茂1、栗山 寛明1、野間 淳史1 (1.タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社)
キーワード：
混載不揮発性メモリ
近年、プロセスコスト抑制の観点から、標準ロジックトランジスタのみで構成された不揮発性メモリへの要求が高まっている。しかし、低電圧動作を志向したデバイスでは、ゲート酸化膜（Gox）の薄膜化によるリーク電流増大が避けられず、従来構造のメモリセルでは保持特性（リテンション）の劣化が顕在化する。本報告では、低電圧化に伴うトランジスタおよびメモリセルの動作上の課題と対策について述べる。