講演情報
[18a-S2_203-7]ナノワイヤの自発ノイズを活用する確率的不揮発メモリセルの検討
〇(B)高村 健新1、安藤 洸太2、冨岡 克広2、浅井 哲也2 (1.北大工、2.北大院情報)
キーワード：
確率的メモリ、ReRAM、ナノワイヤ
確率的コンピューティングによるエッジAIの低電力化に向け、ナノワイヤ(NW)のランダムテレグラフノイズ(RTN)と抵抗変化型メモリ(ReRAM)を用いたメモリセルを提案する。
NWのRTNをReRAMによるオフセット調整を伴い多値ノイズ化し、CMOSラッチで比較することにより確率的に論理0/1を得る。
SPICE解析の結果、ReRAMの抵抗値により論理1の発生確率を制御可能であることを確認した。
NWのRTNをReRAMによるオフセット調整を伴い多値ノイズ化し、CMOSラッチで比較することにより確率的に論理0/1を得る。
SPICE解析の結果、ReRAMの抵抗値により論理1の発生確率を制御可能であることを確認した。