講演情報
[18a-W2_401-8]n型InN薄膜における水素不純物状態
〇小林 正起1、山下 雄大1、平間 一行1、谷保 芳孝1 (1.NTT物性研)
キーワード：
III-V族窒化物、光電子分光
InNは、約0.65 eVのバンドギャップ、高い電子移動度を有する半導体であり、GaNとの混晶化により可視光領域でのバンドギャップ変調が可能であることから、太陽光発電や高速電子デバイスへの応用が期待されている。近年、我々は有機金属気相成長法によりInN薄膜を成長し、成長後の窒素雰囲気下でのアニールにより、残留水素濃度および電子キャリア濃度がともに減少することを確認した。本研究では、アニールによる伝導特性変化の起源を明らかにするため、硬X線光電子分光を用いてアニール前後のInN薄膜の電子状態の変化を調べた。