[18a-W8E_101-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

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[18a-W8E_101-1] Fe/C共ドープ及びMnドープ半絶縁性GaN基板を用いた光伝導型スイッチの特性比較

〇李 晉維¹、磯 憲司²、中根 了昌¹、前田 拓也¹ (1.東大工、2.三菱ケミカル株式会社)

キーワード：

光伝導型スイッチ、パワーデバイス

Fe/C共ドープ半絶縁性GaNを用いたPCSSを作製し，Mnドープのサンプルと比較した．Siイオン注入により同等の良好なコンタクト特性を得たが，Fe準位による高速再結合がキャリア寿命を短縮させ，光電流はMnドープの約1/40に留まった．一方，絶縁破壊電界は0.48 MV/cmとMnドープより向上したが理論値には及ばず，今後表面電界集中の緩和が必要である．