[18a-W8E_101-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:30 〜 11:45

[18a-W8E_101-10] 表面分析におけるArイオンエッチングがGaN表面に与える影響

〇五十嵐 陽彦¹、安居 麻美¹、浅原 千鶴¹、日高 遥香¹、坂田 智裕¹ (1.TRC)

キーワード：

窒化ガリウム、アルゴンイオンエッチング、X線光電子分光法