講演情報
[18a-W8E_101-11]電気化学エッチングによる N 極性面 GaN の表面形態変化の調査
〇(B)森山 達也1、横井 創吾2、宇佐美 茂佳2、今西 正幸2、横山 正史3、重川 直輝4、滝野 淳一5、隅 智亮5、岡山 芳央5、秦 雅彦6、田中 敦之7、本田 善央7、天野 浩7、丸山 美帆子2、吉村 政志8、森 勇介2 (1.阪大工、2.阪大院工、3.住友化学（株）、4.大阪公立大、5.パナソニックホールディングス（株）、6.伊藤忠プラスチックス(株)、7.名大未来研、8.阪大レーザー研)
キーワード：
OVPE-GaN、電気化学エッチング、N極性面GaN
N極性面GaNの電気化学エッチング特性を、広範なキャリア濃度と印加電圧下で評価した。高キャリア濃度サンプルでは電圧上昇に伴い多孔質から電解研磨への形態変化を確認した。本結果はGa極性面と同様の傾向であり、N極性面においてもキャリア濃度差を利用した選択的エッチングが可能であることを実証した。