[18a-W8E_101-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[18a-W8E_101-2] GaN/sapphire基板上スパッタ成長ScAlN薄膜のリーク電流の温度依存性解析

〇城谷 光亮¹、佐藤 早和紀²、小林 篤²、前田 拓也¹ (1.東大工、2.東京理科大)

キーワード：

ScAlN、リーク電流、温度依存性

ScAlNは，大きなバンドギャップや圧電係数，強い自発分極，強誘電性などの物性を持ち，窒化物半導体デバイスとの融合による新機能の発現が期待される．近年，金属/ScAlN/GaN構造のデバイス応用が進展しているが，そのリーク電流は大きく起源の理解が不十分なため，本研究ではGaN/sapphire基板上スパッタ成長ScAlN薄膜の成長条件がリーク電流に与える影響と，そのリーク電流の温度依存性を調べた．