講演情報
[18a-W8E_101-5]Si基板上導電性歪超格子層におけるδドープ位置変更による縦型GaNショットキーダイオードの導電性向上
〇中島 匠馬1、久保 俊晴1、南條 拓真1、江川 孝志1 (1.名工大工)
キーワード：
半導体、GaN、ショットキーダイオード
我々はこれまでSi基板上に導電性の歪超格子層を形成することにより、GaN系縦型デバイスの作製を行ってきた。また、導電性歪超格子層におけるAlN層にδドープを行うことにより縦導電性が向上すること、AlN層内のδドープの位置により縦導電性が異なることを見出した。本研究では、歪超格子層におけるAlN層内に形成していたδドープ層をGaN層側に移し、縦導電性を向上させることを試みた。