[18a-W8E_101-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:15 〜 10:30

[18a-W8E_101-6] 急速熱アニール後に多重照射パルスレーザアニールを行ったSiイオン注入GaNの電気特性評価

〇宮嶋 孝夫¹、西垣 有紘¹、大野 峻太郎¹、杉本 麻水¹、南 柚香²、島崎 好広²、寅丸 雅光²、神 好人²、冨田 一義³、今井 大地¹ (1.名城大理工、2.日本製鋼所、3.名大IMaSS)

キーワード：

レーザアニール、窒化物系半導体、コンタクト抵抗