[18a-W8E_101-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[18a-W8E_101-7] n型GaNショットキー接合へのGaO_x界面層挿入による双極子形成

〇坂居 瞭¹、原 征大¹、野﨑 幹人¹、小林 拓真¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

GaN、ショットキー接合、双極子