[18p-S2_203-1~10] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

16:15 〜 16:30

[18p-S2_203-8] 次世代LSI配線に向けたRu薄膜の低抵抗化と密着性の両立の検討

〇溝端 悠介¹、釘尾 健正¹、逸見 龍瑞¹、田畑 海登¹、浜野 翔¹、田中 貴久¹、多田 宗弘¹ (1.慶大理工)

キーワード：

半導体、配線

次世代LSI配線のRu薄膜において、Taライナーによる低抵抗化と密着性向上の両立を検討した。スパッタ法でTa/Ru膜を成膜した結果、Ta 0.3nm挿入でRu(002)配向が強化され、as-dep抵抗率はRu単層より低い 21.5 μΩ·cmとなった。アニール後は 13.4 μΩ·cmを得た。極薄Ta層は配向制御と膜緻密化を通じた特性改善に有効である。