2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術

[18p-S2_203-1~10]13.5 デバイス／配線／集積化技術

2026年3月18日(水) 14:00 〜 17:00
S2_203 (南2号館)
座長：入沢 寿史(産総研)
受賞記念講演（シリコン系半導体エレクトロニクス業績賞）、酸化物半導体、Ge、コンタクト、など
14:00 〜 14:30

[18p-S2_203-1][第3回シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞）受賞記念講演] 酸化物半導体の次世代集積化デバイスへの展開

〇髙橋 崇典1 (1.奈良先端大)
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14:30 〜 14:45奨励賞エントリー英語発表

[18p-S2_203-2]Study On the Statistical Variability of High-Performance Crystalline InGaOx Nanosheet Oxide Semiconductor FETs

〇(DC)Xingyu Huang1, Kota Sakai1, Anlan Chen1, Takanori Takahashi3, Mutsunori Uenuma2, Yukiharu Uraoka3, Takuya Saraya1, Toshiro Hiramoto1, Masaharu Kobayashi1 (1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.AIST, 3.NAIST)
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14:45 〜 15:00

[18p-S2_203-3]酸化物半導体TFTを用いたBSPDN向け高効率DC-DCコンバータに関する研究

〇永井 歩武1、小林 正治1 (1.東大生研)
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15:00 〜 15:15

[18p-S2_203-4]低接触抵抗率の実現に向けたGe-Bi-Te/Ge(111)のvan der Waals 界面

〇張 文馨1、畑山 祥吾1、岡田 直也1、入沢 寿史1、前田 辰郎1、齊藤 雄太1,2 (1.産総研SFRC、2.東北大)
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15:15 〜 15:30

[18p-S2_203-5]導電性酸化膜電極を用いたn型Geコンタクトに関する研究

〇工藤 晃哉1,2、陳 家驄2、張 文馨2、前田 辰郎2 (1.千葉大学、2.産総研)
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15:45 〜 16:00

[18p-S2_203-6]新電解技術によるシードレス絶縁膜上への金属結晶成膜

〇岩津 春生1、石丸 学2 (1.KMP研究所、2.九工大)
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16:00 〜 16:15

[18p-S2_203-7]RF/DCスパッタNb薄膜における酸化と超伝導転移の相関

〇逸見 龍瑞1、釘尾 健正1、溝端 悠介1、田畑 海登1、浜野 翔1、小川 瑞月1、田中 貴久1、田中 雅光2、多田 宗弘1 (1.慶應大理、2.名古屋大学)
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16:15 〜 16:30

[18p-S2_203-8]次世代LSI配線に向けたRu薄膜の低抵抗化と密着性の両立の検討

〇溝端 悠介1、釘尾 健正1、逸見 龍瑞1、田畑 海登1、浜野 翔1、田中 貴久1、多田 宗弘1 (1.慶大理工)
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16:30 〜 16:45

[18p-S2_203-9]DFTB法に基づくPdCoO2の原子論的シミュレーション

〇田中 貴久1 (1.慶大理工)
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16:45 〜 17:00

[18p-S2_203-10]NNP 分子力学による Nb ALD の解析・設計

〇佐藤 登1、中島 章雅1、山口 潤1、玉置 直樹1、筑根 敦弘1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)
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