[18p-W8E_101-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[18p-W8E_101-3] 第一原理計算によるβ-Ga₂O₃中スプリット型不純物-空孔ペアの特性評価

〇山田 亮太¹、岩本 蒼典¹、原 征大¹、渡部 平司¹、小林 拓真¹ (1.阪大工・院工)

キーワード：

Ga2O3、第一原理計算、点欠陥