2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18p-W8E_101-1~10]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2026年3月18日(水) 13:30 〜 16:15
W8E_101 (西8号館)
13:30 〜 13:45

[18p-W8E_101-1]高電圧・超微小電流領域における測定不安定現象の原理・メカニズム解明― ウエハレベル1 kV級量産測定への応用 ―

〇安藤 剛樹1,2 (1.フォームファクター、2.オー・エヌ・シー)
13:45 〜 14:00

[18p-W8E_101-2]DC/AC方式Hall効果測定によるr-GeO2中のキャリア輸送特性評価

〇清水 悠吏1、出口 忠義2、衣斐 豊祐1、松田 慎平1 (1.Patentix株式会社、2.日清紡マイクロデバイス株式会社)
14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[18p-W8E_101-3]第一原理計算によるβ-Ga2O3中スプリット型不純物-空孔ペアの特性評価

〇山田 亮太1、岩本 蒼典1、原 征大1、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大工・院工)
14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[18p-W8E_101-4]マイクロ波無線電力伝送用レクテナ回路応用に向けた高周波Ga2O3ショットキーバリアダイオード開発

〇(M1)田端 悠大1、末廣 雄大1、Ferreyra A. Romualdo1、堤 卓也1、金野 舜2、臼井 洸佑2、松尾 大輔2、伊庭 義騎3、寺内 悠真3、吉永 純也3,4、熊谷 義直3、大野 泰夫5、東脇 正高1,6 (1.大阪公立大院工、2.日新イオン機器、3.東京農工大院工、4.大陽日酸、5.レーザーシステム、6.情通機構)
14:30 〜 14:45

[18p-W8E_101-5]耐圧1844 V、性能指数0.81 GW/cm2を有するβ-Ga2O3トレンチMOS型SBD

〇高塚 章夫1、宮本 広信1、佐々木 公平1、倉又 朗人1 (1.ノベルクリスタルテクノロジー)
15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[18p-W8E_101-6]Siイオン注入したAlOx絶縁膜を有するGa2O3 MOSキャパシタ

〇(M1)小路 啓太1、松尾 大輔2、金野 舜2、臼井 洸佑2、安東 靖典3、田中 浩平2、東脇 正高1,4 (1.大阪公立大工、2.日新イオン機器、3.日新電機、4.情通機構)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[18p-W8E_101-7]ALD-Al2O3/β-Ga2O3 MOS界面特性に対する絶縁膜形成前の処理による影響：TMAHエッチング処理による低下とO3表面酸化による向上

〇今飯田 捷真1、田村 敦史2、喜多 浩之1,2 (1.東大工、2.東大院新領域)
15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[18p-W8E_101-8]O3を酸化剤に適用した原子層堆積法を用いた低温プロセス(600°C)下でのSiO2/β-Ga2O3 (001)MOS界面特性の改善

〇田村 敦史1、今飯田 捷真2、喜多 浩之1,2 (1.東大院新領域、2.東大工)
15:45 〜 16:00

[18p-W8E_101-9]10 kVを超える耐圧のノーマリーオフβ-Ga2O3 縦型 multi-fin FET

〇脇本 大樹1、林 家弘1、江間 研太郎1、上田 悠貴1、宮本 広信1、佐々木 公平1、倉又 朗人1 (1.ノベルクリスタル)
16:00 〜 16:15英語発表

[18p-W8E_101-10]Effects of Nitrogen Radical Irradiation on Electrical Properties of Ga2O3 (010) FinFETs

〇Zhenwei Wang1, Jin Inajima2, Yoshiki Iba3, Kohki Tsujimoto2, Yuma Terauchi3, Yusuke Teramura2, Junya Yoshinaga3,4, Takafumi Kamimura1, Yoshinao Kumagai3, Masataka Higashiwaki1,2 (1.NICT, 2.Osaka Metropolitan Univ., 3.Tokyo Univ. of Agric. and Tech., 4.TAIYO NIPPON SANSO CORP.)
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