[18p-W8E_101-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:30 〜 14:45

[18p-W8E_101-5] 耐圧1844 V、性能指数0.81 GW/cm²を有するβ-Ga₂O₃トレンチMOS型SBD

〇高塚 章夫¹、宮本 広信¹、佐々木 公平¹、倉又 朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：

酸化ガリウム、パワーデバイス、ショットキーバリアーダイオード

本発表では、我々が最近開発したβ-Ga₂O₃トレンチMOS型ショットキーバリアダイオード(MOSSBD)について報告する。作製したβ-Ga₂O₃トレンチMOSSBDは、オン抵抗4.2 mΩ·cm²、ブレークダウン電圧は1844 Vが得られた。このパワーデバイスの性能指数（PFOM）は0.81 GW/cm²であり、報告されているショットキー界面を有するβ-Ga₂O₃ダイオードの中で最も優れたものであった。