講演情報
[18p-W8E_101-6]Siイオン注入したAlOx絶縁膜を有するGa2O3 MOSキャパシタ
〇(M1)小路 啓太1、松尾 大輔2、金野 舜2、臼井 洸佑2、安東 靖典3、田中 浩平2、東脇 正高1,4 (1.大阪公立大工、2.日新イオン機器、3.日新電機、4.情通機構)
キーワード：
酸化ガリウム、イオン注入、アルミナ
本研究では、AlOx絶縁薄膜に低注入エネルギーにて極浅Siイオン注入を実施し、その電気的特性を評価した。結果として、7 keVでSiイオン注入を行った後、500°Cでアニール処理した厚さ25 nmのAlOx絶縁膜を有するAlOx/n-Ga2O3 MOSダイオードにおいて、非常に小さなヒステリシス、フラットバンド電圧シフトに代表される良好な容量–電圧特性が得られた。