[18p-W8E_101-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[18p-W8E_101-7] ALD-Al₂O₃/β-Ga₂O₃ MOS界面特性に対する絶縁膜形成前の処理による影響：TMAHエッチング処理による低下とO₃表面酸化による向上

〇今飯田 捷真¹、田村 敦史²、喜多 浩之^1,2 (1.東大工、2.東大院新領域)

キーワード：

Ga2O3、TMAH、O3

本研究では，ALD-Al₂O₃/β-Ga₂O₃(001) MOS界面特性に対する絶縁膜形成前のTMAHエッチング処理およびO₃表面酸化の影響を系統的に評価した。TMAHエッチングは界面特性を劣化させたが，O₃前処理により一定の改善が得られた。さらに，ALD-Al₂O₃成膜時にO₃を酸化剤として用いることで界面特性が大きく改善し，成膜前だけでなく成膜中においてもO₃酸化が有効であることを示した。