講演情報
[18p-W8E_101-8]O3を酸化剤に適用した原子層堆積法を用いた低温プロセス(600°C)下でのSiO2/β-Ga2O3 (001)MOS界面特性の改善
〇田村 敦史1、今飯田 捷真2、喜多 浩之1,2 (1.東大院新領域、2.東大工)
キーワード：
Ga2O3、MOS、ALD
β-Ga2O3 MOSにおいて、高温（1000℃）酸素PDAはMOS界面特性を改善する一方で、基板の電気的特性を劣化させる。これまでに、O3を酸化剤としてアルミナをALDで製膜することで、低温（600℃）PDAでも良好な界面特性が得られることを報告しており、本研究では、これをSiO2/Ga2O3 MOSに適用した。結果、酸化剤としてO3を長時間供給して界面SiO2を形成した試料はO3短時間供給の場合と比較して、ヒステリシス幅は小さくDitも低減され、低温PDAでも良好な界面特性が得られた。