[18p-W8E_101-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:45 〜 16:00

[18p-W8E_101-9] 10 kVを超える耐圧のノーマリーオフβ-Ga₂O₃ 縦型 multi-fin FET

〇脇本 大樹¹、林 家弘¹、江間 研太郎¹、上田 悠貴¹、宮本 広信¹、佐々木 公平¹、倉又 朗人¹ (1.ノベルクリスタル)

キーワード：

ベータ酸化ガリウム、縦型MOSトランジスタ、耐圧

10 kVを超える耐圧を有するノーマリーオフβ-Ga₂O₃ 縦型 multi-fin FETを実証したので報告する。10 kVを超える耐圧は、報告されているβ-Ga₂O₃縦型トランジスタでの世界最高値である。この縦型FETは、β-Ga₂O₃（011）基板上にハライド気相成長法によって成長させた低ドナー濃度（N_d-N_a = 1.8×10¹⁵ cm^-3）、厚膜（厚さ85 µm）のエピタキシャル膜を用いて作製し、特性オン抵抗は289 mΩ·cm²であった。