セッション詳細
[9E2]X（回折・散乱）
2026年1月9日(金) 10:00 〜 11:45
E会場(会議室4)
座長:小野寺 陽平(物質・材料研究機構)
[9E2-03]Crystal truncation rod (CTR) technique to analyze crystal distortion at the interface of a TEOS (SiO2)/Si (0.5-inch) wafer produced via a minimal-Fab system
*Halubai Sekhar1、Bin Liu1、Ding Zixiang1、Takurou Kouno2、Yasuo Terasawar3、Fumito Imura3、Takeshi Hashishin1、Eisuke Magome4、Ichiro Hirosawa4、Masaichiro Mizumaki1、Ichiro Akai1 (1. Kumamoto University、2. NIDEK Co., Ltd、3. Hundred Semiconductors Inc.,、4. SAGA-LS)
[9E2-04]NdNiO3の水素誘起金属絶縁体転移に伴う長周期秩序
*出口 智貴1、原 武史1、石井 祐太2、李 好博3、服部 梓3、田中 秀和3、佐賀山 基4、若林 裕助1 (1. 東北大院理、2. NIMS、3. 阪大産研、4. KEK物構研)
[9E2-05]磁場によるドメイン制御技術を用いたスピネル型酸化物FeV2O4における価電子密度分布の実空間観測
*小山 千翔1、野村 悠祐2、鬼頭 俊介1、萬條 太駿3、中村 唯我3、原 武史4、片山 尚幸5、有田 亮太郎6,7、澤 博8、有馬 孝尚1,7 (1. 東大新領域、2. 東北大金研、3. JASRI、4. 東北大院理、5. 名大院工、6. 東大院理、7. 理研CEMS、8. 名産研)