[C-10] 電子デバイス

10:30 〜 10:45

[C-10-02] ウェハレベルパッケージプロセスによるInP 系ヘテロ接合バイポーラトランジスタの放熱性・電気的特性への影響評価

〇荒木 友輔¹、白鳥 悠太¹、中島 史人¹ (1. NTT株式会社)

キーワード：

InP-HBT、WLP、sub-THz、熱解析