[C-10] 電子デバイス

12:00 〜 12:15

[C-10-07] 極薄 Si 層のゼーベック係数に与える表面ラフネスの効果

〇池田 浩也¹、吉森 優大¹、布目 有希乃¹、ホティマトゥル ファウジア²、ファイズ サレ³、濱﨑 拡¹ (1. 静岡大、2. インドネシア国立研究革新庁、3. マラヤ大)

キーワード：

熱電変換、シリコン、表面ラフネス、ゼーベック係数、ナノ構造